iDEN移动台对模拟基站的影响

日期：2009年7月29日

根据iDEN资料，iDEN移动台最大发射功率为3W，其电缆损耗为一2.3dB，发射天线增益为一IdBd，因此移动台的有效辐射功率为:

P_Ti=31.5dBm

根据本章表1可知，当f₀士25KHz时，其带外发射功率为一23. 5dBm;当f₀土 50KHz时，其带外发射功率为一33.5dBm。

假设iDEN移动台处于模拟基站的正下方，即距模拟基站的距离d=70米，则根据公式 

L_b=82.11dB

模拟基站接收系统的总损耗为一7.4dB，天线增益为10dB，分集改善6dB，实际有效增益为:

G_e=8.6dB

因此基站接收机接收到iDEN移动台的信号为：

P_Ri  =P_Ti- L_b+G_e

   =-42.01dBm

我们知道模拟基站接收机的可用电平为一104dBm，两者相差62dB，小于70dB的干扰抑制比，所以当两系统邻道使用时，不会对基站接收造成阻塞。

这时模拟基站接收机接收到iDEN移动台的带外发射P_RiO为:

当f₀士25KHz时，P_RiO=-23. 5dBm-82. 11 +8.6=97. 01dBm

当f₀士50KHz时，P_RiO =-33. 5dBm-82.11+8. 6=107. 01dBm

很明显，干扰电平已接近基站接收机的可用电平，因此基站接收机接收其覆盖区边缘的信号时，将受到近处iDEN手机的干扰。

那么，iDEN移动台距离模拟基站多远时，干扰才可以忍受呢?我们假设iDEN移动台的干扰等于模拟基站的热噪声，lP -127dBm，则路径传播损耗为:

当f₀±50KHz时，Lb=-127-8.6一(-23.5)=112.1dBm

当f₀土50KHz时，Lb= -127-8. 6一(-33.5)=102.1dBm

根据公式(5)，可算出iDEN移动台距模拟基站的距离为:

当f₀士25KHz时，d=0.57公里

当f₀士50KHz时，d=0.28公里

其实这种远近效应对整个移动通信系统都是存在的，是其特有的现象，我们只要注意就行了。

3.模拟集群系统对iDEN系统的干扰

(l)iDEN基站和模拟基站处于同一站址时

从上面计算可知，模拟系统基站覆盖区覆盖区半径为8.24公里，基站到覆盖区边缘的路径损耗为时150.05dB。假设模拟系统基站的发射功率为70W，邻道功率<70dB，杂散射频分量<70dB，而带外发射功率为二者之和，即<67dB，因此带外发射功率为-18.55dBm，考虑天线增益及馈线损耗以后其带外有效发射功率为一18.55+10 一7.4= -15. 95dBm。其带外发射在边缘时的功率为:

—15. 95-150.05=-166dBm

iDEN系统移动台的热噪声为一123dBm，远大于模拟基站带外发射产生的干扰，因此在iDEN系统在其覆盖区边缘不会被干扰。

如果由模拟基站带外发射产生的干扰等于iDEN移动台的热噪声，即一123dBm，则移动台距基站的距离为0.40公里。

这时虽然噪声(干扰)增加一倍，但由于有用信号很强，因此不会产生干扰。从以上分析计算可知，在同站址时模拟基站不会对iDEN系统产生有害干扰。

(2)iDEN基站和模拟基站不同站址时(DEN信号弱，模拟信号强的情况)我们假设iDEN手机处在测试点C，测试点C是在iDEN基站的覆盖区边缘，C点距iDEN基站的距离为d2=8.18公里，同时又处于模拟基站的覆盖区内，如下图。

  我们假设模拟基站B在测试点C产生的干扰等于iDEN 手机的热噪声，这样等效于实际热噪声增加3dB(我们暂不考虑大气、环境与多径干扰)，这时iDEN手机接收到的模拟的干扰信号为一123dBm。

由于模拟系统基站带外有效发射功率-IS.9SdBm，C点的功率为—123dBm，这样路径衰耗为107.0SdB，代人Okumura - Hata公式，可得到C点模拟基站的距离dl为:

dl=0.40公里

这就是说两基站不在同一站址时，基站的发射功率、天线高度及天线增益都相同时，iDEN基站覆盖区的边缘距模拟基站的距离为0.40公里时，将不会产生有害干扰。一般由于天线的方向性，距离基站越近其增益越小，iDEN基站覆盖区的边缘距模拟基站的距离越近。

在iDEN系统覆盖区内由于iDEN移动台接收到的有用信号很强，而模拟的干扰信号相应的减少，因此iDEN移动台不会受到干扰。

从以上分析可知，模拟基站对iDEN系统的在一定地区将使干扰(噪声)增3dB， 对iDEN系统有一定的影响，但影响很小，一般不会干扰iDEN系统的正常工作(覆盖区内)。